National Semiconductor LPC662AIN
- 收藏
- 对比
LPC662AIN
1704-LPC662AIN
无类别的
--
大陆
立即发货

IC OP AMP DUAL LP CMOS 8-DIP
1最小包装量--
LPC662AIN详情
National Semiconductor LPC662AIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
8
Package Description
PLASTIC, DIP-8
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Slew Rate-Nom
0.11 V/us
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
LPC662AIN
Supply Voltage-Nom (Vsup)
7.5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Texas
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
Texas INC
Common-mode Reject Ratio-Nom
83 dB
Risk Rank
5.66
Part Package Code
DIP
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.33.00.01
子类别
运算放大器
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
2
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDIP-T8
温度等级
INDUSTRIAL
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
座位高度-最大
4.3815 mm
负电源电压(Vsup)
-7.5 V
统一增益 BW-(标准值)
350 kHz
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.000004 µA
电源电压限制-最大值
8 V
输入失调电压-最大值
3300 µV
宽度
7.62 mm
长度
9.817 mm
LPC662AIN拓展信息







哦! 它是空的。