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技术文档
型号
LPC662AIN
品牌
National Semiconductor
utmel 编号
1704-LPC662AIN
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IC OP AMP DUAL LP CMOS 8-DIP
起订量
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LPC662AIN详情
技术参数
National Semiconductor LPC662AIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
8
Package Description
PLASTIC, DIP-8
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Slew Rate-Nom
0.11 V/us
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
Supply Voltage-Nom (Vsup)
7.5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Texas
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
Texas INC
Common-mode Reject Ratio-Nom
83 dB
Risk Rank
5.66
Part Package Code
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.33.00.01
子类别
运算放大器
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
2
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDIP-T8
温度等级
INDUSTRIAL
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
座位高度-最大
4.3815 mm
负电源电压(Vsup)
-7.5 V
统一增益 BW-(标准值)
350 kHz
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.000004 µA
电源电压限制-最大值
8 V
输入失调电压-最大值
3300 µV
宽度
7.62 mm
长度
9.817 mm
LPC662AIN拓展信息
公司资质
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