NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP 2N6553

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

大电流驱动器

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-202

转换频率

75MHz

最大耗散功率(Abs)

2W

集电极电流-最大值(IC)

1A

最小直流增益（hFE）

80

集电极-发射器电压-最大值

100V

VCEsat-最大值

1 V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant