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技术文档
型号
2SJ356
品牌
NEC
utmel 编号
1712-2SJ356
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.95ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
起订量
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2SJ356详情
技术参数
NEC 2SJ356重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Electronics Group
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.32
Drain Current-Max (ID)
2 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
防静电
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.95 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2SJ356拓展信息
公司资质
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