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NEC 2SK2141

Name: 2SK2141
Brand: NEC
SKU: 1712-2SK2141
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SK2141

品牌

NEC

utmel 编号

1712-2SK2141

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SK2141 NEC Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SK2141详情

技术参数

NEC 2SK2141重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number

2SK2141
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

NEC Electronics Group
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP
Risk Rank

5.81
Part Package Code

SFM
Drain Current-Max (ID)

6 A
附加功能

HIGH VOLTAGE, AVALANCHE RATING
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

1.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A
DS 击穿电压-最小值

600 V
雪崩能量等级（Eas）

12 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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2SK2141拓展信息

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