NE34018-T1
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NEC NE34018-T1

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型号

NE34018-T1

品牌

NEC

utmel 编号

1712-NE34018-T1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

NE34018-T1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from NEC stock available at utmel

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NE34018-T1详情

NEC NE34018-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    4

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage Rating (DC)

    2 V

  • Voltage, Rating

    4 V

  • Package Description

    PLASTIC, SUPERMINI-4

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    NE34018-T1

  • Drain Current-Max (ID)

    0.03 A

  • Risk Rank

    5.09

  • Ihs Manufacturer

    NEC ELECTRONICS AMERICA INC

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Number of Elements

    1

  • Manufacturer

    NEC Electronics America Inc

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • 包装

    切割胶带

  • 最高工作温度

    125 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    5 mA

  • 频率

    2 GHz

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率耗散

    150 mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 测试电流

    5 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    4 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    80 mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -3 V

  • 增益

    16 dB

  • 漏源击穿电压

    4 V

  • DS 击穿电压-最小值

    3 V

  • 场效应管技术

    HETERO-JUNCTION

  • 噪声图

    0.6 dB

  • 最高频段

    S带

  • 测试电压

    2 V

  • 功率增益-最小值(Gp)

    14 dB

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    unknown

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

NE34018-T1拓展信息

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