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技术文档
型号
NE5520379A-T1A
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NE5520379A-T1A
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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NE5520379A-T1A详情
技术参数
NEC NE5520379A-T1A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
79A, 4 PIN
Package Style
MICROWAVE
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD
Risk Rank
5.69
Drain Current-Max (ID)
1.5 A
JESD-609代码
e0
端子表面处理
锡铅
端子位置
QUAD
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XQMW-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
6 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L带
NE5520379A-T1A拓展信息
公司资质
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