注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
NP24N06ILB
品牌
NEC
utmel 编号
1712-NP24N06ILB
商品类别
无类别的
封装
Axial
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
NP24N06ILB datasheet pdf and Unclassified product details from NEC stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
NP24N06ILB详情
技术参数
NEC NP24N06ILB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rated
10V
Lifetime @ Temp.
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Electronics Group
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.83
Part Package Code
TO-252AB
Drain Current-Max (ID)
24 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
Military, MIL-PRF-39003/3, CSR23
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.185 Dia x 0.474 L (4.70mm x 12.04mm)
容差
±10%
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
EAR99
类型
密封
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.29.00.95
电容量
47µF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
失败率
S (0.001%)
引线间距
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
制造商的尺寸代码
B
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
0.07 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Military
座位高度(最大)
NP24N06ILB拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)