NEC NP80N03KDE

安装类型

通孔

表面安装

YES

触点形状

Circular

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

600VAC

Mated Stacking Heights

--

Contact Materials

Brass

Contact Finish Mating

Tin

Insulation Materials

Polyamide (PA), Nylon

Contact Length-Mating

--

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NP80N03KDE

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

NEC Electronics Group

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.26

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

80 A

操作温度

-20°C ~ 85°C

系列

Mini-Universal MATE-N-LOK II

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

终端

Solder

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Header

定位的数量

10

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

行数

2

HTS代码

8541.29.00.95

紧固类型

插销座

触点类型

公母针

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

--

绝缘高度

0.640 (16.26mm)

样式

Board to Cable/Wire

已加载定位数量

All

Reach合规守则

compliant

额定电流

因线规而异

间距 - 配套

0.163 (4.14mm)

绝缘颜色

White

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

行间距-交配

0.163 (4.14mm)

触点长度 - 柱子

0.215 (5.46mm)

护罩,护罩

Shrouded - 4 Wall

触点表面处理 - 柱子

Tin

接触总长度

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.011 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

电路板指南

触点表面处理厚度 - 配套

150.0µin (3.81µm)

触点表面处理厚度 - 柱子

150.0µin (3.81µm)

材料可燃性等级

UL94 V-0