NEC NP80N04EHE-E1-AY

安装类型

通孔

包装/外壳

Axial

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rated

50V

Lifetime @ Temp.

--

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NP80N04EHE-E1-AY

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.29

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

80 A

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

Military, MIL-PRF-39003/9, CSR21

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.289 Dia x 0.686 L (7.34mm x 17.42mm)

容差

±5%

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

类型

密封

HTS代码

8541.29.00.95

电容量

18µF

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

175 mOhm

失败率

R (0.01%)

引线间距

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

制造商的尺寸代码

C

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.008 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

169 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

120 W

特征

Military

座位高度(最大)

--