NP80N04NDG-S18-AY
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NEC NP80N04NDG-S18-AY

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型号

NP80N04NDG-S18-AY

品牌

NEC

utmel 编号

1712-NP80N04NDG-S18-AY

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 40V 80A TO262

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NP80N04NDG-S18-AY
NP80N04NDG-S18-AY NEC MOSFET N-CH 40V 80A TO262

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NP80N04NDG-S18-AY详情

NEC NP80N04NDG-S18-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

  • 供应商器件包装

    TO-262

  • Manufacturer Part Number

    HT8FBGABL1

  • Manufacturer

    Cutler Hammer, Div of Eaton Co

  • Package

    Tube

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    80A (Tc)

  • 厂商

    NEC Corporation

  • Power Dissipation (Max)

    1.8W (Ta), 115W (Tc)

  • Product Status

    Obsolete

  • 操作温度

    175°C

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4.8mOhm @ 40A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6900 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    135 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    40 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

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NP80N04NDG-S18-AY拓展信息

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