NEC NP86N04MHE

安装类型

通孔

包装/外壳

Axial

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rated

75V

Lifetime @ Temp.

--

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NP86N04MHE

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

NEC Electronics Group

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.27

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

86 A

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.135 Dia x 0.286 L (3.43mm x 7.26mm)

容差

±10%

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

类型

密封

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

电容量

0.33µF

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

--

失败率

S (0.001%)

引线间距

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

制造商的尺寸代码

A

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0044 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

344 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

Military

座位高度(最大)

--