NEC NP88N04MHE

安装类型

Through Hole, Right Angle

表面安装

NO

触点形状

Square

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

250V

Mated Stacking Heights

--

Contact Materials

Brass

Contact Finish Mating

Tin-Lead

Insulation Materials

Polyamide (PA), Nylon

Contact Length-Mating

--

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NP88N04MHE

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.27

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

88 A

操作温度

-40°C ~ 105°C

系列

Micro MATE-N-LOK

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

Obsolete

终端

Solder

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Header

定位的数量

18

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

行数

2

HTS代码

8541.29.00.95

紧固类型

锁定坡道

触点类型

公母针

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

--

绝缘高度

0.290 (7.37mm)

样式

Board to Cable/Wire

已加载定位数量

All

Reach合规守则

compliant

额定电流

因线规而异

间距 - 配套

0.118 (3.00mm)

绝缘颜色

Black

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

行间距-交配

0.118 (3.00mm)

触点长度 - 柱子

--

护罩,护罩

Shrouded - 4 Wall

触点表面处理 - 柱子

Tin-Lead

接触总长度

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0043 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

352 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

232 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

板锁

触点表面处理厚度 - 配套

100.0µin (2.54µm)

触点表面处理厚度 - 柱子

100.0µin (2.54µm)

材料可燃性等级

UL94 V-0