UPD2114LD-5详情
NEC UPD2114LD-5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AB, SMC
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-214AB (SMC)
终端数量
18
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
1.5SMC24
厂商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Product Status
Discontinued at Digi-Key
Package Description
DIP, DIP18,.3
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
1000
Package Body Material
CERAMIC
Package Equivalence Code
DIP18,.3
Access Time-Max
150 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
UPD2114LD-5
Number of Words
1024 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.92
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101, 1.5SMC, TransZorb®
JESD-609代码
e0
类型
Zener
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
Automotive, Telecom
子类别
SRAMs
技术
MOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XDIP-T18
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源线保护
无
电压 - 击穿
22.8V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
45.2A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
33.2V
电压 - 反向断态(典型值)
20.5V
组织结构
1KX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
双向通道
1
记忆密度
4096 bit
电容@频率
-
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
UPD2114LD-5拓展信息








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