NEC Electronics America Inc 2SK1059-Z-T1
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2SK1059-Z-T1
1712-2SK1059-Z-T1
晶体管 - 特殊用途
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Description: Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN
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2SK1059-Z-T1详情
NEC Electronics America Inc 2SK1059-Z-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS AMERICA INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
5 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.135 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
环境耗散-最大值
20 W
2SK1059-Z-T1拓展信息
NEC Electronics America Inc
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NEC Electronics Group
NEC Electronics Group
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