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NEC Electronics Group 2SJ132

Name: 2SJ132
Brand: NEC Electronics Group
SKU: 1712-2SJ132
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SJ132

品牌

NEC Electronics Group

utmel 编号

1712-2SJ132

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ132 NEC Electronics Group Description: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SJ132详情

技术参数

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NEC Electronics Group 2SJ132重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP
Drain Current-Max (ID)

2 A
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

IN-LINE
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PSIP-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-251AB
漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8 A
DS 击穿电压-最小值

30 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: NEC Electronics Group 2SJ132.

数据表 :
NECCS04580-1.pdf

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