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NEC Electronics Group 2SK2355

Name: 2SK2355
Brand: NEC Electronics Group
SKU: 1712-2SK2355
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SK2355

品牌

NEC Electronics Group

utmel 编号

1712-2SK2355

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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2SK2355 NEC Electronics Group Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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2SK2355详情

技术参数

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NEC Electronics Group 2SK2355重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP
Drain Current-Max (ID)

5 A
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

1.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A
DS 击穿电压-最小值

450 V
雪崩能量等级（Eas）

17.4 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: NEC Electronics Group 2SK2355.

数据表 :
f33b8658508f4405a9b1a888c90c8bd3.pdf

2SK2355拓展信息

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