2SK3056
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NEC Electronics Group 2SK3056

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型号

2SK3056

utmel 编号

1712-2SK3056

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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2SK3056 NEC Electronics Group Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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2SK3056详情

NEC Electronics Group 2SK3056重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NEC ELECTRONICS CORP

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Package Description

    MP-25, 3 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    32 A

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.05 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    100 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    25.6 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: NEC Electronics Group 2SK3056.

2SK3056拓展信息

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