Nexperia BC856BT

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

-200 mV

RoHS

Compliant

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

1.8 x 0.9 x 0.85mm

Package Type

SOT-416 (SC-75)

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Collector Emitter Voltage

65 V

Maximum DC Collector Current

100 mA

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Minimum DC Current Gain

220

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC856BT

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Samacsys Description

Nexperia BC856BT PNP Transistor, 100 mA, 65 V, 3-Pin SOT-416

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.03

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

150 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

65 V

最大集电极电流

100 mA

最高频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

-80 V

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

集电极-发射器电压-最大值

65 V

宽度

900 µm

高度

850 µm

长度

1.8 mm