参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
SOT-223
Transistor Polarity
NPN
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Base Product Number
BCP56
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
1.8 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
63 at 150 mA, 2 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
155 MHz
Maximum DC Collector Current
2 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
操作温度
150°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101, BCP56T-Q
技术
Si
配置
Single
功率耗散
1.8
功率 - 最大
600 mW
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
转换频率
155
频率转换
155MHz
集电极基极电压(VCBO)
100 V
连续集电极电流
1