Nexperia USA Inc. 2PB1219AR,115

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

120MHz

Power Dissipation (Max)

200mW

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2PB1219

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 30mA, 300mA

转换频率

120MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

0.6 V

集电极-基极电容-最大值

15pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅