Nexperia USA Inc. 2PB709BRL,215

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Power Dissipation (Max)

250mW

Number of Elements

1

hFEMin

210

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

200MHz

配置

SINGLE

功率耗散

250mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

210 @ 2mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅