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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.824416
10
¥0.777754
100
¥0.733724
500
¥0.692192
1000
¥0.653017
Nexperia USA Inc. BAS32L,135
- 收藏
- 对比
BAS32L,135
1729-BAS32L,135
二极管 - 整流器 - 单
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
大陆
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DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD80
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BAS32L,135详情
Nexperia USA Inc. BAS32L,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
0.5W
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
BAS32
引脚数量
2
参考标准
IEC-60134
元素配置
Single
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
5μA @ 75V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1V @ 100mA
箱体转运
ISOLATED
正向电流
200mA
最大反向漏电电流
5μA
工作温度 - 结点
200°C Max
最大浪涌电流
4A
平均整流电流(Io)
200mA DC
正向电压
1V
最大反向电压(DC)
75V
平均整流电流
200mA
反向恢复时间
4 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
100V
电容@Vr, F
2pF @ 0V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
4A
恢复时间
4 ns
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BAS32L,135拓展信息
Nexperia USA Inc.
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