Nexperia USA Inc. BC53PA,115

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-PowerUDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Power Dissipation (Max)

420mW

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

频率

145MHz

配置

SINGLE

功率耗散

1.65W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

420mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

63 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

145MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant