参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
供应商器件包装
DFN1110D-3
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Package Type
DFN1110D-3
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum DC Collector Current
500 mA
Minimum DC Current Gain
160
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
PNP
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
350 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
160
Collector-Emitter Saturation Voltage
700 mV
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
80 MHz
Part # Aliases
934660963147
Manufacturer
Nexperia
Brand
Nexperia
DC Current Gain hFE Max
400
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
150°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率耗散
460mW
功率 - 最大
350 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
转换频率
80MHz
频率转换
80MHz
集电极基极电压(VCBO)
50 V
连续集电极电流
500mA
产品类别
Bipolar Transistors - BJT