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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.113486
500
¥0.083445
1000
¥0.069539
2000
¥0.063797
5000
¥0.059623
10000
¥0.055463
15000
¥0.05364
50000
¥0.052743
Nexperia USA Inc. BC856W,115
- 收藏
- 对比
BC856W,115
1729-BC856W,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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BC856 Series 65 V 100 mA 200 mW PNP General Purpose Transistor - SOT-323-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC856W,115详情
Nexperia USA Inc. BC856W,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC856
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
125 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
65V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
集电极-基极电容-最大值
5pF
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC856W,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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