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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 BC857CQAZ
BC857CQAZ
BC857CQAZ

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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    ￥1.631876

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    ￥1.539504

Nexperia USA Inc. BC857CQAZ

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型号

BC857CQAZ

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-BC857CQAZ

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

3-XDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BC857XQA series - 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

起订量

--最小包装量--

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BC857CQAZ
BC857CQAZ Nexperia USA Inc. BC857XQA series - 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

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BC857CQAZ详情

技术参数

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型号对比

Nexperia USA Inc. BC857CQAZ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    3-XDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    45V

  • Power Dissipation (Max)

    280mW

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 参考标准

    AEC-Q101; IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N3

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 功率 - 最大

    280mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    400mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    420 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    400mV @ 5mA, 100mA

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    45V

  • 频率转换

    100MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和Nexperia USA Inc. & BC857CQAZ相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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