注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.193238
10
¥1.125696
100
¥1.061978
500
¥1.001862
1000
¥0.945153
Nexperia USA Inc. BC859C,235
- 收藏
- 对比
BC859C,235
1729-BC859C,235
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans Gp Bjt PNP 30V 0.1A 3-PIN TO-236AB T/r
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC859C,235详情
Nexperia USA Inc. BC859C,235重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
底架
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
BC859
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
250mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BC859C,235拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.








哦! 它是空的。