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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.780636
10
¥0.736448
100
¥0.694763
500
¥0.655437
1000
¥0.618337
Nexperia USA Inc. BCP53-10,115
- 收藏
- 对比
BCP53-10,115
1729-BCP53-10,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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BCP53 Series 80 V 1 A SMT PNP Silicon Epitaxial Transistor - SOT-223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCP53-10,115详情
Nexperia USA Inc. BCP53-10,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
145MHz
Power Dissipation (Max)
1W
Number of Elements
1
hFEMin
63
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
145MHz
基本部件号
BCP53
元素配置
Single
功率耗散
1.35W
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
63 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
145MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.7mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCP53-10,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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