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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.024196
10
¥2.853013
100
¥2.691527
500
¥2.539173
1000
¥2.395444
Nexperia USA Inc. BF820W,135
- 收藏
- 对比
BF820W,135
1729-BF820W,135
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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BF820W - NPN high-voltage transistor
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BF820W,135详情
Nexperia USA Inc. BF820W,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
60MHz
Power Dissipation (Max)
200mW
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BF820
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率 - 最大
200mW
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 25mA 20V
最大集极截止电流
10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 30mA
转换频率
60MHz
最大击穿电压
300V
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
VCEsat-最大值
0.6 V
集电极-基极电容-最大值
1.6pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BF820W,135拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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