Nexperia USA Inc. BSR30,115

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.35W

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

终端形式

FLAT

频率

100MHz

基本部件号

BSR30

JESD-30代码

R-PSSO-F3

元素配置

Single

功率耗散

1.35W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

70V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

长度

6.35mm

高度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅