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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.714295
10
¥3.504049
100
¥3.30571
500
¥3.118595
1000
¥2.94207
Nexperia USA Inc. BST61,115
- 收藏
- 对比
BST61,115
1729-BST61,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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TRANS PNP DARL 60V 1A SOT89
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BST61,115详情
Nexperia USA Inc. BST61,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.3V
Power Dissipation (Max)
1.3W
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
终端形式
FLAT
基本部件号
BST61
JESD-30代码
R-PSSO-F3
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
1.3W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
2000 @ 500mA 10V
最大集极截止电流
50nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.3V @ 500μA, 500mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
60V
频率转换
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BST61,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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