Nexperia USA Inc. PBSS303PZ,135

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

45.359237g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

130MHz

Power Dissipation (Max)

2W

Number of Elements

1

hFEMin

250

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

130MHz

基本部件号

PBSS303P

元素配置

Single

功率耗散

700mW

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

5.3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

265mV @ 265mA, 5.3A

转换频率

130MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

320ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

高度

6.35mm

长度

12.7mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅