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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.960357
10
¥5.622978
100
¥5.304699
500
¥5.004432
1000
¥4.721163
Nexperia USA Inc. PBSS4032NT,215
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- 对比
PBSS4032NT,215
1729-PBSS4032NT,215
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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PBSS4032NT Series 30 V 2.6 A NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4032NT,215详情
Nexperia USA Inc. PBSS4032NT,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
180MHz
Power Dissipation (Max)
1.1W
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
180MHz
基本部件号
PBSS4032N
元素配置
Single
功率耗散
1.1W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
2.6A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
320mV @ 300mA, 3A
转换频率
180MHz
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBSS4032NT,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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