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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.761218
10
¥2.604926
100
¥2.457475
500
¥2.318369
1000
¥2.187143
Nexperia USA Inc. PBSS4250X,135
- 收藏
- 对比
PBSS4250X,135
1729-PBSS4250X,135
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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PBSS4250X Series 50V 2 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4250X,135详情
Nexperia USA Inc. PBSS4250X,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
100MHz
Power Dissipation (Max)
1W
Number of Elements
1
hFEMin
300
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PBSS4250
JESD-30代码
R-PSSO-F3
元素配置
Single
功率耗散
1W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
320mV @ 200mA, 2A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS4250X,135拓展信息
Nexperia USA Inc.
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