Nexperia USA Inc. PBSS5130T,215

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

200MHz

Power Dissipation (Max)

480mW

Number of Elements

1

hFEMin

300

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

200MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

PBSS5130

电压

30V

元素配置

Single

电流

15A

功率耗散

480mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

260 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

225mV @ 50mA, 1A

转换频率

200MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅