Nexperia USA Inc. PBSS5220T,215

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

225

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

480mW

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

已出版

2009

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

PBSS5220

元素配置

Single

功率耗散

480mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

225mV @ 200mA, 2A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

6.35mm

长度

6.35mm

高度

6.35mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅