Nexperia USA Inc. PBSS8510PA,115

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-PowerUDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

150MHz

Power Dissipation (Max)

2.1W

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

频率

150MHz

基本部件号

PBSS8510

元素配置

Single

功率耗散

2.1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

5.2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

95 @ 2A 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

340mV @ 260mA, 5.2A

转换频率

150MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅