Nexperia USA Inc. PMPB27EP,115

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.7W Ta 12.5W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 6.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1570pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

31ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

6.1A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-30V

漏极-源极导通最大电阻

0.029Ohm

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

25A

RoHS状态

ROHS3 Compliant