PCHMB400A6A
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Nihon Inter Electronics Corporation PCHMB400A6A

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型号

PCHMB400A6A

utmel 编号

1244-PCHMB400A6A

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

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PCHMB400A6A
PCHMB400A6A Nihon Inter Electronics Corporation Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

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PCHMB400A6A详情

Nihon Inter Electronics Corporation PCHMB400A6A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NIHON INTER ELECTRONICS CORP

  • Part Package Code

    MODULE

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    450 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    600 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    5

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    1470 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    400 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.6 V

0个相似型号

技术文档: Nihon Inter Electronics Corporation PCHMB400A6A.

PCHMB400A6A拓展信息

HGT1S20N35G3VLS
HGTP20N60C3R
HGTP20N60C3R

Intersil

HGTD3N60B3S
HGTD3N60B3S

Intersil

HGTD7N60B3S
HGTD7N60B3S

Intersil

HGTP15N50E1
HGTP15N50E1

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HGTD10N40F1S
HGTD10N40F1S

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HGTP10N40F1D
HGTP10N40F1D

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HGTP10N40C1
HGTP10N40C1

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HGTD6N40E1S
HGTD6N40E1S

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HGTP5N120BND
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