Nippon-Chemi-Con EKRG100ETD221MF09D

安装类型

通孔

包装/外壳

28-CDIP (0.600, 15.24mm)

表面安装

NO

端子形状

WIRE

越来越多的功能

通孔安装

供应商器件包装

28-CerDip

介电材料

ALUMINUM (WET)

终端数量

2

Memory Types

Volatile

Package Description

,

Package Style

Radial

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

105 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

EKRG100ETD221MF09D

Package Shape

圆柱形封装

Manufacturer

Nippon Chemi-con Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NIPPON CHEMI-CON CORP

Risk Rank

5.52

Manufacturer Series

KRG

操作温度

-55°C ~ 125°C (TA)

系列

--

包装

Tube

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

电容量

220 µF

包装方式

TAPE

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5 V ~ 5.5 V

端子间距

2.5 mm

电容式

铝电解电容器

极性

POLARIZED

额定(DC)电压(URdc)

10 V

泄漏电流

0.022 mA

纹波电流

154 mA

内存大小

64Kb (8K x 8)

三角形

0.24

正容差

20%

负公差

20%

访问时间

20ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

长度

9 mm

直径

6.3 mm

达到SVHC

compliant