NTE299详情
NTE ELECT NTE299重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Radial, Disc
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
供应商器件包装
TO-202
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Lead Free Status / RoHS Status
--
Approvals
--
Resistance - 25°C (Typ)
25 Ohms
Manufacturer Part Number
NTE299
Manufacturer
NTE Electronics
RoHS
Compliant
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.75
操作温度
0°C ~ 55°C
系列
YM
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.335 Dia x 0.177 W (8.50mm x 4.50mm)
零件状态
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
类型
Ceramic
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
引线间距
0.200 (5.08mm)
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
4W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大电流
1.1A
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
35 V
最大集电极电流
1 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 100mA, 10V
JEDEC-95代码
TO-202
增益
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
35V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
75 V
最大耗散功率(Abs)
4 W
发射极基极电压 (VEBO)
4 V
最大保持电流(Ih)
161mA
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
10
电压 - 最大值
265V
触发电流(It)
228mA
集电极-发射器电压-最大值
35 V
噪音数字(分贝类型@ f)
-
环境耗散-最大值
4 W
座位高度(最大)
0.433 (11.00mm)
厚度(最大)
--
评级结果
--
NTE299拓展信息








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