NTE ELECT SI15000M25

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PLUS-220SMD

供应商器件包装

PLUS-220SMD

包装数量

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

360W (Tc)

Package Type

Radial Round

Manufacturer Part Number

SI15000M25

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

无

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HiPerFET™, PolarHT™

包装

Tube

零件状态

Obsolete

组成

Electrolytic

电容量

15,000 MicroFarads

技术

MOSFET (Metal Oxide)

引线长度

0.248

引线间距

0.393

铅直径

0.079

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

850 mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

--

直径

0.98