2N7002
2N7002

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NTE Electronics, Inc. 2N7002

  • 收藏
  • 对比

型号

2N7002

utmel 编号

1780-2N7002

商品类别

无类别的

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
2N7002
2N7002 NTE Electronics, Inc. Small Signal Field-Effect Transistor

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2N7002详情

NTE Electronics, Inc. 2N7002重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3

  • Manufacturer Part Number

    2N7002

  • Manufacturer

    NTE Electronics

  • Continuous Drain Current

    0.115(A)

  • Drain-Source On-Volt

    60(V)

  • Operating Temperature Classification

    Military

  • Package Type

    SOT-23

  • Operating Temp Range

    -55C to 150C

  • Gate-Source Voltage (Max)

    ±20(V)

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Number of Elements

    1

  • Rad Hardened

  • Mounting

    表面贴装

  • Package

    Bag

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    115mA (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V, 10V

  • 厂商

    NTE Electronics, Inc

  • Power Dissipation (Max)

    200mW (Ta)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 类型

    小信号

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 引脚数量

    3

  • 极性

    N

  • 功率耗散

    0.2(W)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.5Ohm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50 pF @ 25 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

2N7002拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS