NTE Electronics, Inc NTE128P

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-237AA

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-237

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Manufacturer Part Number

NTE128P

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-237

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

100(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-55C to 150C

Collector Current (DC)

1(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package Description

TO-237, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.57

Part Package Code

TO-237

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

频率

50(MHz)

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

0.85(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

850 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 350mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-237AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

50MHz

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V