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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 厂商 | 操作温度 | 系列 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 子类别 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 额定电流 | 频率 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 输出功率 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | JEDEC-95代码 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 转换频率 | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 最大耗散功率(Abs) | 发射极基极电压 (VEBO) | 集电极电流-最大值(IC) | 最小直流增益（hFE） | 集电极-发射器电压-最大值 | 环境耗散-最大值 | 直径 | 高度 | 长度 | 宽度 | |||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTE218 | NTE Electronics, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-204AA, TO-3 | NO | 2 | TO-3 | 7.257478 g | 2 | SILICON | 7(V) | Military | TO-66 | PNP | 600 mV | 80(V) | 双极电源 | -65C to 200C | 4(A) | 1 | NTE Electronics, Inc | 无 | 通孔 | NTE218 | NTE Electronics | 80 V | 80 V | Compliant | Bag | 4 A | 活跃 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT | METAL | 未说明 | 有 | 3 MHz | ROUND | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 1.75 | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | EAR99 | 200 °C | -65 °C | 其他晶体管 | 25 W | BOTTOM | PIN/PEG | 未说明 | unknown | 4 A | 3(MHz) | 2 +Tab | O-MBFM-P2 | 不合格 | PNP | Single | 25(W) | COLLECTOR | Not Required(W) | 25 W | SWITCHING | PNP | PNP | 80 V | 4 A | 40 @ 100mA, 1V | 1mA | TO-66 | 600mV @ 125mA, 1A | 80 V | 3 MHz | 3MHz | 80 V | 25 W | 7 V | 4 A | 10 | 80 V | 25 W | 12.3 mm | 7.493 mm | 152.4 mm | 76.2 mm |
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