NTE Electronics, Inc NTE225
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NTE225
1780-NTE225
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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TRANS NPN 350V 1A TO39
1最小包装量--
NTE225详情
NTE Electronics, Inc NTE225重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Package
Bag
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
Manufacturer Part Number
NTE225
Manufacturer
NTE Electronics
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
15 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.74
Part Package Code
TO-39F
系列
-
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-MBFM-P3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
10 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
3 @ 10mA, 10V
最大集极截止电流
20μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 4mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
350 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
10 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
350 V
环境耗散-最大值
10 W
NTE225拓展信息







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