NTE Electronics, Inc NTE2330

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3P

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

Product Status

活跃

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Manufacturer Part Number

NTE2330

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Part Package Code

TO-3P

Risk Rank

1.76

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Rohs Code

有

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

80 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

55 V

最大集电极电流

20 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

-

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 20mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

55 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

55 V

最大耗散功率(Abs)

80 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

500

集电极-发射器电压-最大值

45 V

环境耗散-最大值

80 W