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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 系列 | ECCN 代码 | HTS代码 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 功率耗散 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | JEDEC-95代码 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 转换频率 | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 最大耗散功率(Abs) | 发射极基极电压 (VEBO) | 集电极电流-最大值(IC) | 最小直流增益（hFE） | 集电极-发射器电压-最大值 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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 | NTE2342 | NTE Electronics, Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | NO | 3 | TO-92 | 3 | SILICON | Bag | 活跃 | 1 A | NTE2342 | NTE Electronics | 5(V) | 2.2(V) | Military | TO-92 | 100(V) | -65C to 150C | NTE Electronics, Inc | 1(A) | 1 | 无 | 0.1 | 1000 | 通孔 | 80 V | 1 W | Compliant | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | CYLINDRICAL | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 150 °C | 有 | 200 MHz | ROUND | 活跃 | 2.17 | NTE ELECTRONICS INC | 150°C (TJ) | - | EAR99 | 8541.21.00.75 | 其他晶体管 | BOTTOM | WIRE | 未说明 | unknown | O-PBCY-W3 | 不合格 | PNP | Single | 1(W) | 1 W | SWITCHING | PNP | PNP - Darlington | 80 V | 1 A | 2000 @ 500mA, 10V | 500nA | TO-92 | 1.8V @ 1mA, 1A | 80 V | 200 MHz | 200MHz | 100 V | 1 W | 5 V | 1 A | 2000 | 80 V |
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