NTE Electronics, Inc NTE2349

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Manufacturer Part Number

NTE2349

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

5(V)

Base-Emitter Saturation Voltage (Max)

3(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-3

Collector-Base Voltage

120(V)

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5(V)

Operating Temp Range

-55C to 200C

Collector Current (DC)

50(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Collector-Emitter Voltage

120(V)

DC Current Gain

1000

Mounting

通孔

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.72

系列

-

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2 +Tab

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

300(W)

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

300 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 25A, 5V

最大集极截止电流

2mA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3.5V @ 500mA, 50A

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

300 W

集电极电流-最大值(IC)

50 A

最小直流增益（hFE）

400

集电极-发射器电压-最大值

120 V

环境耗散-最大值

300 W